消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙

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据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK 海力士和美光等内存厂商正在准备采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术，这一技术有望应用于下一代 HBM4 内存中。由于无凸块的混合键合技术尚未成熟，预计传统有凸块方案将继续成为主流键合技术。
HBM4 16Hi 的特点是更多的 DRAM Die 层次，这意味着需要进一步压缩层间间隙以保持整体堆栈高度在 775 μm 的限制内。然而，在现有 HBM 键合工艺中使用助焊剂会导致助焊剂残留在各 Die 之间扩大间隙，并提高整体堆栈高度。
消息人士透露，三大 HBM 内存厂商对无助焊剂键合技术的准备程度不同：美光在与合作伙伴测试工艺方面最为积极；SK 海力士考虑导入；而三星电子也对此密切关注。
报道还指出，在 HBM 内存的发展过程中，JEDEC 颁行的规范有可能放宽 HMB4 高度限制的要求，这样内存厂商就无需被迫转向使用混合键合技术。

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