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近年来，英特尔以空前的力度推进先进制程工艺，希望能够尽快赶超台积电，并重新夺回领先地位。现在，它再次重申了这一战略，尤其是在意欲通过未来的14A 1.4nm级工艺巩固自己的领先地位。
目前，英特尔正在按照计划实现其“四年五个制程节点”的目标。其中，英特尔7工艺和采用EUV极紫外光刻技术的英特尔4和英特尔3已经实现了大规模量产。
值得注意的是，英特尔3是升级版，在服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids等项目中将陆续发布。该芯片首次采用了纯E核设计，并且可以容纳多达288个核心。
英特尔20A和18A两个节点正在进行中，分别相当于2nm和1.8nm。它们将继续使用EUV技术，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。
通过这两个节点，英特尔希望能在2025年重新获得制程领先地位。
之后，英特尔将继续采用创新技术，推动未来制程节点的开发和制造，以巩固其领先地位。其中一个关键点就是High NA EUV技术。数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩模上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，并有助于进一步微缩晶体管尺寸。
为了制造出更小特征尺寸的晶体管，在集成High NA EUV光刻技术的同时，英特尔也在同步开发新的晶体管结构，并改进工艺步骤。例如，通过使用PowerVia背面供电技术来减少步骤、简化流程。
此外，英特尔还公布了针对多个版本的 Intel 3、Intel 18A 和 Intel 14A 的产品规划和合作项目，以满足客户特定需求并促进交付符合这些要求的产品。 | 
